Корейский производитель Samsung представил новый твердотельный накопитель Samsung 990, который нацелен на сегмент доступных решений. Накопитель имеет форм-фактор M.2-2280 и использует интерфейс PCIe 4.0 x4, а также основан на флеш-памяти типа QLC без выделенного буфера DRAM.
Важно отметить, что новинка не является преемником модели 990 EVO, так как последняя использует более быструю память типа TLC. В основе Samsung 990 лежит контроллер Samsung Piccolo-Q и 280-слойная 3D QLC NAND флеш-память девятого поколения V9. Несмотря на то, что модель ориентирована на стартовый уровень, ее цена остается относительно высокой из-за положения на рынке. За версию на 1 ТБ производитель запросил 270 долларов, а накопитель объемом 2 ТБ обойдется в 530 долларов.
Что касается производительности, версия на 1 ТБ демонстрирует скорость последовательного чтения до 7150 МБ/с и записи до 6450 МБ/с. При случайном чтении блоков 4К накопитель показывает до 700 000 IOPS, а при записи — до 1.1 млн IOPS. Более мощная модель на 2 ТБ способна обеспечить скорость чтения до 7250 МБ/с и записи до 6450 МБ/с, с показателями случайного чтения и записи на уровне 850 000 и 1.2 млн IOPS соответственно.
Примечательно, что новинка отличается от накопителей на базе TLC, таких как 990 EVO Plus, сниженным ресурсом записи. Для версии на 1 ТБ он составляет 400 TBW, а для 2 ТБ — 800 TBW. В сравнении, модель 990 EVO Plus предлагает 600 TBW и 1200 TBW соответственно. Обе модификации поддерживаются ограниченной гарантией на 3 года.
По результатам тестирования профильных изданий, накопитель включает достаточно большой динамический SLC-кэш, объем которого у 2 ТБ модели превышает 350 ГБ. В пределах этого кэша скорость записи достигает 6.1 ГБ/с, но после его исчерпания показатели снижаются до характеристик нативной области памяти QLC. Энергоэффективность новинки оценивается как средняя, поэтому для стабильной работы под нагрузкой рекомендуется использовать дополнительный радиатор, особенно если накопитель устанавливается в настольные ПК или консоль PlayStation 5.