Лип-Бу Тан, генеральный директор Intel, недавно сообщил, что компания видит память не просто как внешний компонент, а как важнейшую часть архитектуры своих процессоров. В рамках этой стратегии Intel привлекла к сотрудничеству Сок-Хи Ли, бывшего гендиректора SK hynix, что должно усилить их позиции в области передовой памяти.
По словам Тана, память оказывает значительное влияние на производительность систем, особенно в области искусственного интеллекта, где данные активно перемещаются между процессорами и накопителями. Одним из нововведений компании является концепция вертикального размещения DRAM прямо над чипом процессора. Это решение сокращает расстояния для передачи данных и расширяет интерфейсы, что может привести к повышению производительности.
Тем не менее, такой подход сопряжён с проблемами, связанными с охлаждением и качеством продукций. В дополнение к этому Intel разрабатывает технологию XBM, которая дает возможность убрать промежуточный кремниевый слой, который обычно используется в стандартной HBM. Это новшество может существенно снизить затраты на производство.
Стоит отметить, что Intel не собирается возвращаться к массовому производству DRAM. Их основное внимание будет сосредоточено на интеграции памяти и упаковке, что позволит выделить линейки процессоров Xeon, Core и ускорителей на фоне растущей конкуренции.